Laseri z lasersko črpanjem z diodnimi vlakni so najhitreje rastoči in v zadnjih letih pogosto uporabljeni novi laserji. Njegov razvoj je neločljivo povezan z razvojem polprevodniških laserjev. 1960 prvenec prvih rubinastih laserjev. Leta 1962 so izšli prvi homogeni spojni galijev arzenidni polprevodniški laserji. Leta 1963 je Newman prvič predlagal uporabo polprevodnika kot polprevodniškega koncepta vira laserske črpalke. Z naraščanjem izhodne moči LD je Ross leta 1968 prvič spoznal uporabo diodnega laserskega laserja GaAs, ki je črpal Nd: YAG laser. Leta 1973 so prvič poročali o pulziranih LD-laserjih s končnim črpanjem Nd: YAG in opozorili na prednosti črpanja s končno črpalko. Chesler in Singh podata teoretični model končno črpanega laserja v multi-transverzalnem in enojnem transverzalnem načinu, teoretični prag črpalke, ki temelji na predpostavki enakomerne črpalke, pa je v osnovi skladen z eksperimentalnimi rezultati. Leta 1976 so bili Nd: YAG laserji z ultra-svetlečimi diodami neprekinjeno črpani pri sobni temperaturi. Od osemdesetih let je polprevodniški laser in njegova vrsta raziskovalnega dela naredil velik preboj, močno promoviral polprevodniške laserske naprave, tehnologijo in razvoj aplikacij ter privedel do obsežne oživitve polprevodniških laserjev. S pojavom strukture kvantne vdolbinice in rastjo tehnologije rasti kristalov, kot sta nanašanje kovinskih organskih kemičnih hlapov (MOCVD) in epitaksija molekularnih žarkov (MBE), se prag toka LD očitno zmanjša, učinkovitost pretvorbe in izhodna moč se znatno izboljšata izboljšana izhodna moč enojnega polprevodniškega laserskega polja od 1W do 2W. Enkratna neprekinjena izhodna moč LD od 100 do 200 moči 90 let, tehnologija diodnega laserskega diodnega laserskega sklopa z vlakni postopoma dozoreva, življenjska doba in zanesljivost sta se močno izboljšala, kar DPL razvoj in uporaba novega napredka še posebej izstopata. 1992, ZDA, Laurent - Rivermore National Laboratory je uspešno razvil moči z diodno črpalko z visoko močjo v kilovatnem razredu. Leta 1994 je ameriško ministrstvo za energetiko objavilo odobritev" National Ignition Facility" program. 2001 Akiyama et al. Uporabil je trismerni Nd: YAG laser s stransko črpalko, da je dosegel 5,4 kW moči laserja z 22-odstotno učinkovitostjo elektro-optične pretvorbe. Leta 2002 je ameriška družba TRW razvila 5,4 kW moči z diodnim laserskim laserjem s črpalko Nd: YAG. Leta 2006 je ameriški Nordisk uspešno dosegel 19kW lasersko moč. Če povzamemo, je DPL najbolj dinamičen in obetaven pri polprevodniških laserjih.
Ker ima laser, ki ga črpa dioda, prednosti velike moči, visoko kakovostne žarke, majhen toplotni učinek, visok izkoristek in kompaktna struktura naprav, postane ključna naprava informacijske tehnologije. Njegova široka paleta aplikacij, širok razpon valovnih dolžin, hitrost razvoja so druge vrste laserjev, ki se ne morejo ujemati.
Trenutno je področje polprevodniških laserjev s črpanjem diode zelo obsežno, kot so vojaška, medicinska, industrijska in druga področja.
Prevodno stikalo in njegov sprožilni sistem kot ultra hitri impulzni vir visoke moči, z optično izolacijo, ozadje aplikacije je naprava za vžig orožja, se lahko učinkovito upira elektromagnetnim motnjam in izboljša zanesljivost; istočasno kot ultrahitri impulzni vir visoke moči, motnje in konfrontacija ter ustrezna tehnična področja.
Tuja raziskovalna skupina je s kompleksnim optičnim sistemom dobila številne žice linearnega toka na površini fotoprevodnih stikal GaAs. Stikalo z razmikom 1 cm je sprožila laserska svetloba nivoja moči. Ko je bila napetost prednapetosti 60 kV, je bila količina kA nivoja toka.
Delo napetosti prednapetosti je nižje od reda velikosti tuje raziskovalne skupine 1, sprožilna svetlobna energija je nižja od tujih 3 vrst velikosti, uporaba enega komercialnega laserskega diodnega laserja za pridobivanje velikosti kA velikega toka . Fotoprevodno stikalo GaAs in njegov sprožilni sistem z vso trdno, majhno velikostjo in ugodno ceno.
Inovacijska dela predvsem za:
(1) GaAs fotoprevodno stikalo za sprožilni vir svetlobe z diodnim laserjem, sklopljenim z vlakni, namesto tradicionalne omembe velikega polprevodniškega laserja. Lahko dobite poceni impulzni vir z majhno prostornino.
(2) na zasnovi sprožilca fotoaktivnega stikala GaAs, visokotlačna zasnova, zaradi česar je mikrofokus v sprožilcu šibke svetlobe sub-ohmska obremenitev na velikost kA močnega trenutnega impulza.
(3) z uporabo modela vezja in teorije domene naboja optičnega vzbujanja za razlago valovne oblike električnega impulza ni videti razlogov pojava zaklepanja.